Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Highly phosphorus-doped polycrystalline diamond growth and properties

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00556566" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00556566 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21230/22:00356601 RIV/68407700:21460/22:00356601

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108964" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108964</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108964" target="_blank" >10.1016/j.diamond.2022.108964</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Highly phosphorus-doped polycrystalline diamond growth and properties

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this work, phosphorus-doped polycrystalline diamond layers were grown using a new gas control process to increase the incorporation of phosphorus in diamond. Topographical characteristics and crystalline quality of the phosphorus-doped polycrystalline diamond layers grown on Si substrates were analyzed using Scanning Electron Microscopy (SEM) and Raman spectroscopy. The phosphorus concentration was determined using Glow-Discharge Optical Emission Spectroscopy (GDOES). Polycrystalline diamond layers have a good crystalline quality with a sp3/sp2 carbon ration over 75%. The growth rate reaches up to 440 nm∙h−1, and the phosphorus concentration is well above 1020 cm−3.

  • Název v anglickém jazyce

    Highly phosphorus-doped polycrystalline diamond growth and properties

  • Popis výsledku anglicky

    In this work, phosphorus-doped polycrystalline diamond layers were grown using a new gas control process to increase the incorporation of phosphorus in diamond. Topographical characteristics and crystalline quality of the phosphorus-doped polycrystalline diamond layers grown on Si substrates were analyzed using Scanning Electron Microscopy (SEM) and Raman spectroscopy. The phosphorus concentration was determined using Glow-Discharge Optical Emission Spectroscopy (GDOES). Polycrystalline diamond layers have a good crystalline quality with a sp3/sp2 carbon ration over 75%. The growth rate reaches up to 440 nm∙h−1, and the phosphorus concentration is well above 1020 cm−3.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA21-03538S" target="_blank" >GA21-03538S: Nové perspektivy v syntéze dopovaného diamantu v mikrovlnné plazmě</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Diamond and Related Materials

  • ISSN

    0925-9635

  • e-ISSN

    1879-0062

  • Svazek periodika

    125

  • Číslo periodika v rámci svazku

    May

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    108964

  • Kód UT WoS článku

    000790962500005

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85126623362