Femtosecond laser studies of the single event effects in low gain avalanche detectors and PINs at ELI Beamlines
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00565722" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00565722 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1016/j.nima.2022.167321" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.nima.2022.167321</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2022.167321" target="_blank" >10.1016/j.nima.2022.167321</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Femtosecond laser studies of the single event effects in low gain avalanche detectors and PINs at ELI Beamlines
Popis výsledku v původním jazyce
A feasibility study conducted at the laser facility ELI Beamlines confirms that fs-laser pulses can produce Single Event Effect (SEE), Single Event Upset (SEU) and Single Event Burnout (SEB) conditions in irradiated Low Gain Avalanche Detectors (LGADs) and the corresponding PIN diodes. A comprehensive and systematic study on PIN and LGAD mortality has been conducted to experimentally determine the stability, instability, and irreversible damage thresholds for LGADs and PINs exploiting a fs-laser system. Thresholds are given as sets of two parameters: bias voltage and laser pulse energy (energy deposition threshold). Using the Two-Photon Absorption (TPA) - Transient Current Technique (TCT) to study the mechanism that triggers SEU/SEB conditions in LGADs, as a function of illumination position establishes this technique as a promising tool for more advanced explorations of SEE, not only in LGADs but also in other Si-based sensors.n
Název v anglickém jazyce
Femtosecond laser studies of the single event effects in low gain avalanche detectors and PINs at ELI Beamlines
Popis výsledku anglicky
A feasibility study conducted at the laser facility ELI Beamlines confirms that fs-laser pulses can produce Single Event Effect (SEE), Single Event Upset (SEU) and Single Event Burnout (SEB) conditions in irradiated Low Gain Avalanche Detectors (LGADs) and the corresponding PIN diodes. A comprehensive and systematic study on PIN and LGAD mortality has been conducted to experimentally determine the stability, instability, and irreversible damage thresholds for LGADs and PINs exploiting a fs-laser system. Thresholds are given as sets of two parameters: bias voltage and laser pulse energy (energy deposition threshold). Using the Two-Photon Absorption (TPA) - Transient Current Technique (TCT) to study the mechanism that triggers SEU/SEB conditions in LGADs, as a function of illumination position establishes this technique as a promising tool for more advanced explorations of SEE, not only in LGADs but also in other Si-based sensors.n
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A
ISSN
0168-9002
e-ISSN
1872-9576
Svazek periodika
1041
Číslo periodika v rámci svazku
OCT
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
167321
Kód UT WoS článku
000877453700008
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85136673190