New insight into gain suppression and single event Burnout effects in LGAD
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00573078" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00573078 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/CZ______:_____/23:N0000034
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1088/1748-0221/18/02/C02059" target="_blank" >https://doi.org/10.1088/1748-0221/18/02/C02059</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/18/02/C02059" target="_blank" >10.1088/1748-0221/18/02/C02059</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
New insight into gain suppression and single event Burnout effects in LGAD
Popis výsledku v původním jazyce
Low Gain Avalanche Detectors (LGADs) will be employed in the CMS MTD and ATLAS HGTD upgrades to mitigate the high levels of pile-up events expected in the High Luminosity phase of the LHC. Over the last several years, much attention has been focused on designing radiation-tolerant gain implants to ensure that these sensors survive the expected fluence (>101515 neqeq/cm22). This work reports several effects observed during our previous studies on two relevant phenomena Single Event Burnout (SEB) and carrier density-induced Gain Suppression (GS). Influence of irradiation level, pad configuration and gain layer depth on SEB are discussed. In this paper, we also extend GS study with a new insight into the spatio-temporal dynamics of charge transport in LGAD, probed with a focused ion beam.
Název v anglickém jazyce
New insight into gain suppression and single event Burnout effects in LGAD
Popis výsledku anglicky
Low Gain Avalanche Detectors (LGADs) will be employed in the CMS MTD and ATLAS HGTD upgrades to mitigate the high levels of pile-up events expected in the High Luminosity phase of the LHC. Over the last several years, much attention has been focused on designing radiation-tolerant gain implants to ensure that these sensors survive the expected fluence (>101515 neqeq/cm22). This work reports several effects observed during our previous studies on two relevant phenomena Single Event Burnout (SEB) and carrier density-induced Gain Suppression (GS). Influence of irradiation level, pad configuration and gain layer depth on SEB are discussed. In this paper, we also extend GS study with a new insight into the spatio-temporal dynamics of charge transport in LGAD, probed with a focused ion beam.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10303 - Particles and field physics
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Instrumentation
ISSN
1748-0221
e-ISSN
1748-0221
Svazek periodika
18
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
13
Strana od-do
C02059
Kód UT WoS článku
000996389900025
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85149435178