Optical emission spectroscopy analysis of microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition systems dynamic gas response
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00570231" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00570231 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21230/23:00359304 RIV/68407700:21460/23:00359304
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1002/pssa.202200322" target="_blank" >https://doi.org/10.1002/pssa.202200322</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.202200322" target="_blank" >10.1002/pssa.202200322</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Optical emission spectroscopy analysis of microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition systems dynamic gas response
Popis výsledku v původním jazyce
Microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition (MWPECVD) is widely used for the growth of synthetic doped diamond for electronic and electrochemical applications. Recent results have shown the possible enhancement of phosphorus incorporation using the pulsed gas injection growth method. It is therefore important to understand the dynamics of precursor gases to optimize the dopants incorporation in diamond. In this work, the dynamic response of different gases (N-2, CH4, and O-2) impulses in hydrogen plasma is studied in two different MWPECVD reactors: a lab made NIRIM type reactor, and a commercial reactor made by Seki Diamond Systems. These reactors of different volumes are operated at different pressure and total gas flow. The time responses to the precursor gas injection are recorded by optical emission spectroscopy. Experimental time responses are fitted using an impulse response equation.
Název v anglickém jazyce
Optical emission spectroscopy analysis of microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition systems dynamic gas response
Popis výsledku anglicky
Microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition (MWPECVD) is widely used for the growth of synthetic doped diamond for electronic and electrochemical applications. Recent results have shown the possible enhancement of phosphorus incorporation using the pulsed gas injection growth method. It is therefore important to understand the dynamics of precursor gases to optimize the dopants incorporation in diamond. In this work, the dynamic response of different gases (N-2, CH4, and O-2) impulses in hydrogen plasma is studied in two different MWPECVD reactors: a lab made NIRIM type reactor, and a commercial reactor made by Seki Diamond Systems. These reactors of different volumes are operated at different pressure and total gas flow. The time responses to the precursor gas injection are recorded by optical emission spectroscopy. Experimental time responses are fitted using an impulse response equation.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Status Solidi A
ISSN
1862-6300
e-ISSN
1862-6319
Svazek periodika
220
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
2200322
Kód UT WoS článku
000847920600001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85137227241