Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00570390" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00570390 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21340/23:00367044 RIV/46747885:24220/23:00012280 RIV/00216208:11320/23:10458524
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043" target="_blank" >10.1016/j.jcrysgro.2022.127043</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers
Popis výsledku v původním jazyce
The impact of Ge doping on InGaN layers grown with the Metal Organic Vapor Phase Epitaxy technique is investigated, with the main focus on the influence of GeH4 flow and Ga/III ratio on the luminescence, electrical and structural properties of InGaN:Ge layers. It is shown that at doping levels above 1019 cm-3 an increase in GeH4 flow results in a decrease in the In content and lower concentration of free carrier density in InGaN layers. On the contrary, the change of Ga/III ratio has no influence on the luminescence and structural properties. An unintentional Ge doping of InGaN layers due to the Ge memory effect or back diffusion is discussed.
Název v anglickém jazyce
Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers
Popis výsledku anglicky
The impact of Ge doping on InGaN layers grown with the Metal Organic Vapor Phase Epitaxy technique is investigated, with the main focus on the influence of GeH4 flow and Ga/III ratio on the luminescence, electrical and structural properties of InGaN:Ge layers. It is shown that at doping levels above 1019 cm-3 an increase in GeH4 flow results in a decrease in the In content and lower concentration of free carrier density in InGaN layers. On the contrary, the change of Ga/III ratio has no influence on the luminescence and structural properties. An unintentional Ge doping of InGaN layers due to the Ge memory effect or back diffusion is discussed.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
e-ISSN
1873-5002
Svazek periodika
604
Číslo periodika v rámci svazku
Feb
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
127043
Kód UT WoS článku
000915990200001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85144816318