Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Donor-acceptor pairs recombination as the origin of the emission shift in InGaN/GaN scintillator heterostructures doped with Zn

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00574605" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00574605 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21340/23:00367011

  • Výsledek na webu

    <a href="https://hdl.handle.net/11104/0346913" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0346913</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/acda62" target="_blank" >10.1149/2162-8777/acda62</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Donor-acceptor pairs recombination as the origin of the emission shift in InGaN/GaN scintillator heterostructures doped with Zn

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report luminescence decay characteristics of the InGaN/GaN scintillator heterostructures doped with Zn. Unusually large shifting of luminescence band caused by Zn acceptors incorporated in InGaN is observed both in time-resolved and excitation-dependent spectra. Origins of the shifts are discussed, and model based on donor-acceptor pair recombination is introduced. The results imply a shrinkage of donor Bohr radius compared to the bulk material caused by quantum confinement effect. The slow decay of Zn band points out to the necessity of Zn impurity elimination in applications requiring fast timing characteristics of a scintillator.

  • Název v anglickém jazyce

    Donor-acceptor pairs recombination as the origin of the emission shift in InGaN/GaN scintillator heterostructures doped with Zn

  • Popis výsledku anglicky

    We report luminescence decay characteristics of the InGaN/GaN scintillator heterostructures doped with Zn. Unusually large shifting of luminescence band caused by Zn acceptors incorporated in InGaN is observed both in time-resolved and excitation-dependent spectra. Origins of the shifts are discussed, and model based on donor-acceptor pair recombination is introduced. The results imply a shrinkage of donor Bohr radius compared to the bulk material caused by quantum confinement effect. The slow decay of Zn band points out to the necessity of Zn impurity elimination in applications requiring fast timing characteristics of a scintillator.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GJ20-05497Y" target="_blank" >GJ20-05497Y: Nanoscintilátory na bázi ultrarychlých luminiscenčních struktur tvořených násobnými kvantovými jamami a komposity</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2023

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ECS Journal of Solid State Science and Technology

  • ISSN

    2162-8769

  • e-ISSN

    2162-8777

  • Svazek periodika

    12

  • Číslo periodika v rámci svazku

    6

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    066004

  • Kód UT WoS článku

    001008186700001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85162870076