Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Ge films on glass substrates

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00577936" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00577936 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21340/23:00370505

Výsledek na webu

<a href="https://hdl.handle.net/11104/0347013" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0347013</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.3390/mi14112048" target="_blank" >10.3390/mi14112048</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Ge films on glass substrates

Popis výsledku v původním jazyce

Amorphous germanium films on nonrefractory glass substrates were annealed by ultrashort near-infrared (1030 nm, 1.4 ps) and mid-infrared (1500 nm, 70 fs) laser pulses. Crystallization of germanium irradiated at a laser energy density (fluence) range from 25 to 400 mJ/cm2 under single-shot and multishot conditions was investigated using Raman spectroscopy. The dependence of the fraction of the crystalline phase on the fluence was obtained for picosecond and femtosecond laser annealing. The regimes of almost complete crystallization of germanium films over the entire thickness were obtained (from the analysis of Raman spectra with excitation of 785 nm laser). The possibility of scanning laser processing is shown, which can be used to create films of micro- and nanocrystalline germanium on flexible substrates.

Název v anglickém jazyce

Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Ge films on glass substrates

Popis výsledku anglicky

Amorphous germanium films on nonrefractory glass substrates were annealed by ultrashort near-infrared (1030 nm, 1.4 ps) and mid-infrared (1500 nm, 70 fs) laser pulses. Crystallization of germanium irradiated at a laser energy density (fluence) range from 25 to 400 mJ/cm2 under single-shot and multishot conditions was investigated using Raman spectroscopy. The dependence of the fraction of the crystalline phase on the fluence was obtained for picosecond and femtosecond laser annealing. The regimes of almost complete crystallization of germanium films over the entire thickness were obtained (from the analysis of Raman spectra with excitation of 785 nm laser). The possibility of scanning laser processing is shown, which can be used to create films of micro- and nanocrystalline germanium on flexible substrates.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Projekt

<a href="/cs/project/EF15_003%2F0000445" target="_blank" >EF15_003/0000445: Pokročilá příprava funkčních materiálů: Od mono k bi- a tri-chromatické excitaci s použitím tvarovaných laserových pulsů</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Micromachines

ISSN

2072-666X

e-ISSN

2072-666X

Svazek periodika

14

Číslo periodika v rámci svazku

11

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

14

Strana od-do

2048

Kód UT WoS článku

001113669700001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85178109648