Plasmonic modification of epitaxial nanostructures for the development of a highly efficient SERS platform

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00579613" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00579613 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61989592:15310/23:73621449

Výsledek na webu

<a href="https://hdl.handle.net/11104/0348428" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0348428</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.3390/cryst13111539" target="_blank" >10.3390/cryst13111539</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Plasmonic modification of epitaxial nanostructures for the development of a highly efficient SERS platform

Popis výsledku v původním jazyce

Epitaxy is the process of crystallization of monocrystalline layers and nanostructures on a crystalline substrate. It allows for the crystallization of various semiconductor layers on a finite quantity of semiconductor substrates, like GaAs, InP, GaP, InGaP, GaP, and many others. The growth of epitaxial heterostructures is very complicated and requires special conditions and the precise control of the growth temperature, the pressure in the reactor, and the flow of the precursors. It is used to grow epitaxial structures in lasers, diodes, detectors, photovoltaic structures, and so on.

Název v anglickém jazyce

Plasmonic modification of epitaxial nanostructures for the development of a highly efficient SERS platform

Popis výsledku anglicky

Epitaxy is the process of crystallization of monocrystalline layers and nanostructures on a crystalline substrate. It allows for the crystallization of various semiconductor layers on a finite quantity of semiconductor substrates, like GaAs, InP, GaP, InGaP, GaP, and many others. The growth of epitaxial heterostructures is very complicated and requires special conditions and the precise control of the growth temperature, the pressure in the reactor, and the flow of the precursors. It is used to grow epitaxial structures in lasers, diodes, detectors, photovoltaic structures, and so on.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Crystals

ISSN

2073-4352

e-ISSN

2073-4352

Svazek periodika

13

Číslo periodika v rámci svazku

11

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

16

Strana od-do

1539

Kód UT WoS článku

001123306800001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85178112998