Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Analysis of humidity sensitivity of silicon strip sensors for ATLAS upgrade tracker, pre- and post-irradiation

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00579779" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00579779 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://hdl.handle.net/11104/0349055" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0349055</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/18/02/P02012" target="_blank" >10.1088/1748-0221/18/02/P02012</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Analysis of humidity sensitivity of silicon strip sensors for ATLAS upgrade tracker, pre- and post-irradiation

  • Popis výsledku v původním jazyce

    During the prototyping phase of the new ATLAS Inner-Tracker (ITk) strip sensors, a degradation of the device breakdown voltage at high humidity was observed. Although the degradation was temporary, showing a fast recovery in dry conditions, the study of the influence of humidity on the sensor performance was critical to establish counter-measures and handling protocols during production testing in order to ensure the proper performance of the upgraded detector. The work presented here has the objective to study for the first time the breakdown voltage deterioration in presence of ambient humidity of ATLAS ITk production-layout strip sensors with different surface properties, before and after proton, neutron and gamma irradiations. A study of the humidity sensitivity of miniature ATLAS ITk strip sensors, before and after proton irradiations, is also presented to compare the sensitivity of devices with different sizes.

  • Název v anglickém jazyce

    Analysis of humidity sensitivity of silicon strip sensors for ATLAS upgrade tracker, pre- and post-irradiation

  • Popis výsledku anglicky

    During the prototyping phase of the new ATLAS Inner-Tracker (ITk) strip sensors, a degradation of the device breakdown voltage at high humidity was observed. Although the degradation was temporary, showing a fast recovery in dry conditions, the study of the influence of humidity on the sensor performance was critical to establish counter-measures and handling protocols during production testing in order to ensure the proper performance of the upgraded detector. The work presented here has the objective to study for the first time the breakdown voltage deterioration in presence of ambient humidity of ATLAS ITk production-layout strip sensors with different surface properties, before and after proton, neutron and gamma irradiations. A study of the humidity sensitivity of miniature ATLAS ITk strip sensors, before and after proton irradiations, is also presented to compare the sensitivity of devices with different sizes.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10303 - Particles and field physics

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2023

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Instrumentation

  • ISSN

    1748-0221

  • e-ISSN

    1748-0221

  • Svazek periodika

    18

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    14

  • Strana od-do

    P02012

  • Kód UT WoS článku

    000937330900001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85148766932