Synthesis and in-situ XPS study of U-Te thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00580289" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00580289 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/10228319" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/10228319</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Synthesis and in-situ XPS study of U-Te thin films
Popis výsledku v původním jazyce
Motivated by the discovery of unconventional superconductivity in the UTe2 single crystals, we have studied formation and properties of U-Te thin films. The films were synthesized by dc sputtering. Separate U and Te targets were used: Te was evaporated simultaneously with plasma sputtering of the U target. Thin films with the varied U:Te composition were obtained and studied in-situ by means of x-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
Název v anglickém jazyce
Synthesis and in-situ XPS study of U-Te thin films
Popis výsledku anglicky
Motivated by the discovery of unconventional superconductivity in the UTe2 single crystals, we have studied formation and properties of U-Te thin films. The films were synthesized by dc sputtering. Separate U and Te targets were used: Te was evaporated simultaneously with plasma sputtering of the U target. Thin films with the varied U:Te composition were obtained and studied in-situ by means of x-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA22-19416S" target="_blank" >GA22-19416S: Napětím laděné magnetické a transportní vlastnosti tenkých vrstev na bázi uranu</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů