Study of technological and radiation defects in silicon

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F10%3A00177086" target="_blank" >RIV/68407700:21220/10:00177086 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21670/10:00177086

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of technological and radiation defects in silicon

Popis výsledku v původním jazyce

In this work we have examined the process of defect annealing of neutron transmutation phosphorus-doped n-type silicone (NTD) detector irradiated by neutrons. Radiation defects produced during irradiation of float zone silicon were characterized by meansof DLTS. Band gap position, capture cross section of detected levels appearing during irradiation have been measured in order to identify the radiation centers. Obtained experimental results will be further utilized for optimization of the techniques and methods used in the production of silicon power devices, i.e. to the development of studies and experiments aimed on increasing the radiation hardness of silicon detectors used in nuclear accelerators.

Název v anglickém jazyce

Study of technological and radiation defects in silicon

Popis výsledku anglicky

In this work we have examined the process of defect annealing of neutron transmutation phosphorus-doped n-type silicone (NTD) detector irradiated by neutrons. Radiation defects produced during irradiation of float zone silicon were characterized by meansof DLTS. Band gap position, capture cross section of detected levels appearing during irradiation have been measured in order to identify the radiation centers. Obtained experimental results will be further utilized for optimization of the techniques and methods used in the production of silicon power devices, i.e. to the development of studies and experiments aimed on increasing the radiation hardness of silicon detectors used in nuclear accelerators.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BF - Elementární částice a fyzika vysokých energií

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Silicon 2010

ISBN

978-80-254-7361-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

TECON-Scientific

Místo vydání

Rožnov pod Radhoštěm

Místo konání akce

ROZNOV POD RADHOSTEM

Datum konání akce

2. 11. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—