Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Frekvenční měnič s SiC MOSFET prvky pro vysokofrekvenční

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F15%3A00230163" target="_blank" >RIV/68407700:21220/15:00230163 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Frekvenční měnič s SiC MOSFET prvky pro vysokofrekvenční

  • Popis výsledku v původním jazyce

    V tomto článku je popsán vyvíjený frekvenční měnič s SiC MOSFET prvky (1200V, 50A) pro vysokofrekvenční stroje. V porovnání s Si IGBT vykazují SiC MOSFET prvky menší ztráty a celé zařízení pak větší účinnost. V článku je provedeno srovnání jednak na základě katalogových údajů, jednak pomocí experimentu. Experiment potvrdil výrazně menší ztráty celého zařízení. V článku je dále řešen problém správného nastavení budiče pro omezení překmitu napětí na řídicí elektrodě SiC tranzistoru a problematika kmitání výstupního napětí způsobená parazitními indukčnostmi ve výkonovém obvodu.

  • Název v anglickém jazyce

    Implementation of SiC inverter for high frequency, medium voltage applications

  • Popis výsledku anglicky

    This paper describes the experiments with a custom build high frequency SiC MOSFET inverter (1200V, 50A). A comparison of SiC MOSFET and Si IGBT modules both from datasheets and different scientific papers showed that SiC MOSFETs have higher efficiency, smaller losses and are capable to work with higher frequency than Si IGBTs. The experiment results made in our laboratory showed that SiC MOSFET had smaller losses. The problem of gate-source voltage overshoot is considered here; it is caused by parasitic capacitances and inductances. The correct value of damping resistor is tuned to suppress overshoot.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Sborník XXXIV. celostátní konferenci elektrické pohony

  • ISBN

    978-80-02-02592-4

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1-6

  • Název nakladatele

    Západočeská univerzita v Plzni

  • Místo vydání

    Plzeň

  • Místo konání akce

    Plzeň

  • Datum konání akce

    9. 6. 2015

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku