Characterization and Conductivity Studies of Graphene Oxide with Different Degrees of Oxidizing Agent

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F23%3A00380572" target="_blank" >RIV/68407700:21220/23:00380572 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1166/jno.2023.3372" target="_blank" >https://doi.org/10.1166/jno.2023.3372</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1166/jno.2023.3372" target="_blank" >10.1166/jno.2023.3372</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Characterization and Conductivity Studies of Graphene Oxide with Different Degrees of Oxidizing Agent

Popis výsledku v původním jazyce

Different degrees of potassium permanganate (KMNO4) was used in the synthesis of graphene oxide (GO). In characterization analysis, the appearance of IR band attributes to O-H, C=C, C-OH and, C-O-C can be observed at around 3500 cm(-1), 1650 cm(-1), 1400 cm(-1) and, 1200 cm(-1) respectively. The UV-Vis spectroscopy revealed, GO with more KMnO4 shows increment in absorption and wavenumber due to more concentration of GO and stacked layers of GO. Nevertheless, a high level of KMnO4 results in a low density of GO. Analysis from Semiconductor Parameter Analyzer (SPA) revealed, a low oxygenated functional group from low-level KMnO4 produces less band gap open and thus, yielding high conductivity.

Název v anglickém jazyce

Characterization and Conductivity Studies of Graphene Oxide with Different Degrees of Oxidizing Agent

Popis výsledku anglicky

Different degrees of potassium permanganate (KMNO4) was used in the synthesis of graphene oxide (GO). In characterization analysis, the appearance of IR band attributes to O-H, C=C, C-OH and, C-O-C can be observed at around 3500 cm(-1), 1650 cm(-1), 1400 cm(-1) and, 1200 cm(-1) respectively. The UV-Vis spectroscopy revealed, GO with more KMnO4 shows increment in absorption and wavenumber due to more concentration of GO and stacked layers of GO. Nevertheless, a high level of KMnO4 results in a low density of GO. Analysis from Semiconductor Parameter Analyzer (SPA) revealed, a low oxygenated functional group from low-level KMnO4 produces less band gap open and thus, yielding high conductivity.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics

ISSN

1555-130X

e-ISSN

1555-1318

Svazek periodika

18

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

6-10

Kód UT WoS článku

000984674800002

EID výsledku v databázi Scopus

—