Vliv montáže na S parametry pouzdřených tranzistorů

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F05%3A03108969" target="_blank" >RIV/68407700:21230/05:03108969 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Assembly Influence on S-Parameters of Packaged Transistor
Popis výsledku v původním jazyce
A proper analysis of the assembly influence on small-signal parameters of packaged transistor has been done. The S-parameters differences caused by assembly change are computed using the standard method and three new proposed methods that exploit 3-D model of the transistor package. The differences, accuracy and suitability of these methods are discussed. The results were verified experimentally for particular packaged transistor in frequency range 45 MHz - 18 GHz.
Název v anglickém jazyce
Assembly Influence on S-Parameters of Packaged Transistor
Popis výsledku anglicky
A proper analysis of the assembly influence on small-signal parameters of packaged transistor has been done. The S-parameters differences caused by assembly change are computed using the standard method and three new proposed methods that exploit 3-D model of the transistor package. The differences, accuracy and suitability of these methods are discussed. The results were verified experimentally for particular packaged transistor in frequency range 45 MHz - 18 GHz.

Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
65th ARTF Conference Digest, Automatic RF Techniques Group, Millimeter-Wave Applications
ISBN
0-7803-8858-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
125-129
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Long Beach
Datum konání akce
17. 6. 2005
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)