Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vliv montáže na malosignálové parametry pouzdřeného tranzistoru

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F05%3A03112237" target="_blank" >RIV/68407700:21230/05:03112237 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Assembly Influence on the Small-Signal Parameters of a Packaged Transistor

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A detailed analysis of the assembly influence on the small-signal parameters of a packaged transistor is presented. A new method, based on 3D field simulation and mixed-mode scattering parameters approach is proposed. Differences in scattering parameterscaused by assembly change are computed using the new proposed method and compared to the standard method based on admittance matrix. The differences, accuracy, error sources and suitability of both methods are discussed. Results are verified experimentally in microstrip line for two fundamental assembly change of a transistor in SOT 343 package in frequency range 45 MHz - 18 GHz.

  • Název v anglickém jazyce

    Assembly Influence on the Small-Signal Parameters of a Packaged Transistor

  • Popis výsledku anglicky

    A detailed analysis of the assembly influence on the small-signal parameters of a packaged transistor is presented. A new method, based on 3D field simulation and mixed-mode scattering parameters approach is proposed. Differences in scattering parameterscaused by assembly change are computed using the new proposed method and compared to the standard method based on admittance matrix. The differences, accuracy, error sources and suitability of both methods are discussed. Results are verified experimentally in microstrip line for two fundamental assembly change of a transistor in SOT 343 package in frequency range 45 MHz - 18 GHz.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Radioengineering

  • ISSN

    1210-2512

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    14

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    75-80

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus