Local Lifetime Control in Silicon by Radiation Controlled Diffusion of Platinum

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F06%3A00120416" target="_blank" >RIV/68407700:21230/06:00120416 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local Lifetime Control in Silicon by Radiation Controlled Diffusion of Platinum

Popis výsledku v původním jazyce

Novel method of local lifetime control in silicon is presented. The method is based on shaping the concentration profile of substitutional palladium using low-temperature diffusion from palladium silicide stimulated by radiation defects from high-energyalpha-particle irradiation. For the first time, this process is shown functional in power devices in a wide range of annealing temperatures (450 - 725 oC). The maximal reduction of reverse recovery charge is found for low annealing temperatures (450 - 500 oC). The optimal diode electrical parameters (leakage current, reverse recovery charge, turn-off loss, dynamic avalanche charge) are found for the annealing temperature of 600 oC. The new method provides much higher thermal budget than the standard Heirradiation.

Název v anglickém jazyce

Local Lifetime Control in Silicon by Radiation Controlled Diffusion of Platinum

Popis výsledku anglicky

Novel method of local lifetime control in silicon is presented. The method is based on shaping the concentration profile of substitutional palladium using low-temperature diffusion from palladium silicide stimulated by radiation defects from high-energyalpha-particle irradiation. For the first time, this process is shown functional in power devices in a wide range of annealing temperatures (450 - 725 oC). The maximal reduction of reverse recovery charge is found for low annealing temperatures (450 - 500 oC). The optimal diode electrical parameters (leakage current, reverse recovery charge, turn-off loss, dynamic avalanche charge) are found for the annealing temperature of 600 oC. The new method provides much higher thermal budget than the standard Heirradiation.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ISPS 06 Proceedings

ISBN

80-01-03524-7

ISSN

1751-858X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

211-215

Název nakladatele

Ediční středisko ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

29. 8. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—