Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Přesné modelování zvláštních mikrovlnných stuktur pomocí umělých neuronových sítí

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F06%3A03119411" target="_blank" >RIV/68407700:21230/06:03119411 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Accurate Modeling of the Special Microwave Structures Using Artificial Neural Networks

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In the paper, a way is suggested for modeling miscellaneous microwave structures by exclusive neural networks, or corrective neural networks working attached to an updated analytic model. The accuracy of both procedures is assessed by extracting model parameters in static and dynamic domains: first, an approximation of the AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT output characteristics is carried out by the corrective neural network; and second, an approximation of the capacitance function of the InGaAs/InP avalanche photodiode is performed by the exclusive neural network. A sequence of analyses is also performed for determining optimal structure of the artificial neural network.

  • Název v anglickém jazyce

    Accurate Modeling of the Special Microwave Structures Using Artificial Neural Networks

  • Popis výsledku anglicky

    In the paper, a way is suggested for modeling miscellaneous microwave structures by exclusive neural networks, or corrective neural networks working attached to an updated analytic model. The accuracy of both procedures is assessed by extracting model parameters in static and dynamic domains: first, an approximation of the AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT output characteristics is carried out by the corrective neural network; and second, an approximation of the capacitance function of the InGaAs/InP avalanche photodiode is performed by the exclusive neural network. A sequence of analyses is also performed for determining optimal structure of the artificial neural network.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F05%2F0277" target="_blank" >GA102/05/0277: Obvody v proudovém a smíšeném módu pro zpracování analogových signálů</a><br>

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    The 13th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference - MELECON 2006 - Electronic Proceedings

  • ISBN

    1-4244-0087-2

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    1-4

  • Název nakladatele

    IEEE

  • Místo vydání

    Piscataway

  • Místo konání akce

    Benalmádena

  • Datum konání akce

    16. 5. 2006

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku