Regulace doby života nosičů ve výkonových polovodičových součástkách
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F07%3A03136261" target="_blank" >RIV/68407700:21230/07:03136261 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Carrier Lifetime Control in Power Semiconductor Devices
Popis výsledku v původním jazyce
The paper surveys the present technology of carrier lifetime control in power semiconductor devices by controlling recombination centre types and concentration. The correlation of lifetime with device properties such as on-state voltage drop, off-state leakage current and switching times of bipolar devices has been elucidated. Various techniques for preserving or reducing lifetime during semiconductor device fabrication are presented. Advantages, problems and some limits of individual techniques are discussed.
Název v anglickém jazyce
Carrier Lifetime Control in Power Semiconductor Devices
Popis výsledku anglicky
The paper surveys the present technology of carrier lifetime control in power semiconductor devices by controlling recombination centre types and concentration. The correlation of lifetime with device properties such as on-state voltage drop, off-state leakage current and switching times of bipolar devices has been elucidated. Various techniques for preserving or reducing lifetime during semiconductor device fabrication are presented. Advantages, problems and some limits of individual techniques are discussed.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the XIV International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices IWPSD 2007
ISBN
978-1-4244-1727-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
755-761
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Mumbai
Datum konání akce
16. 12. 2007
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—