A Note on Trap Recombination in High Voltage Device Structures

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F03%3A03093421" target="_blank" >RIV/68407700:21230/03:03093421 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
A Note on Trap Recombination in High Voltage Device Structures
Popis výsledku v původním jazyce
The carrier lifetime is a very important parameter influencing all important characteristics of bipolar devices both discrete and integrated structures and carrier lifetime tailoring is an important part of power semiconductor device technology.
Název v anglickém jazyce
A Note on Trap Recombination in High Voltage Device Structures
Popis výsledku anglicky
The carrier lifetime is a very important parameter influencing all important characteristics of bipolar devices both discrete and integrated structures and carrier lifetime tailoring is an important part of power semiconductor device technology.

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
2003 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits
ISBN
0-7803-7749-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
309-312
Název nakladatele
Hong Kong University of Science and Technology
Místo vydání
Hong Kong
Místo konání akce
Hong Kong
Datum konání akce
16. 12. 2003
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)