Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

GaAs mikromechanický tepelný převodník pro senzory plynů

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03147715" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03147715 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    GaAs based micromachined thermal converter for gas sensors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The micromachining technology and an electro-thermo-mechanical performance analysis of GaAs based micromachined thermal converter (MTC) device to be designed for metal oxide gas sensors are presented. MTC device introduced exhibits a low power consumption due to by high thermal resistance values (Rth = 15-21 K/mW), uniform temperature distribution, a fast temperature time response (? 1.5-1.8 ms), and good mechanical integrity and thermal stability. It is also fully compatible with the GaAs HEMT based signal-processing and controlling electronics to be monolithically integrated with the gas sensors. The both a simple analytical and three-dimensional thermal modeling of the MTC device was performed. It supported the high electro-thermal conversion efficiency and fast temperature time response of the MEMS device as evaluated by the experiments.

  • Název v anglickém jazyce

    GaAs based micromachined thermal converter for gas sensors

  • Popis výsledku anglicky

    The micromachining technology and an electro-thermo-mechanical performance analysis of GaAs based micromachined thermal converter (MTC) device to be designed for metal oxide gas sensors are presented. MTC device introduced exhibits a low power consumption due to by high thermal resistance values (Rth = 15-21 K/mW), uniform temperature distribution, a fast temperature time response (? 1.5-1.8 ms), and good mechanical integrity and thermal stability. It is also fully compatible with the GaAs HEMT based signal-processing and controlling electronics to be monolithically integrated with the gas sensors. The both a simple analytical and three-dimensional thermal modeling of the MTC device was performed. It supported the high electro-thermal conversion efficiency and fast temperature time response of the MEMS device as evaluated by the experiments.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F06%2F1624" target="_blank" >GA102/06/1624: Mikro a nano senzorové struktury a systémy se zabudovanou inteligencí (MINASES)</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Sensors and Actuators

  • ISSN

    0924-4247

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    2008

  • Číslo periodika v rámci svazku

    A142/1

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000253613100022

  • EID výsledku v databázi Scopus