Free Carrier Absorption Investigations on Ion Irradiated Fast Recovery Diodes
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00168750" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00168750 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Free Carrier Absorption Investigations on Ion Irradiated Fast Recovery Diodes
Popis výsledku v původním jazyce
The combination of emitter control with local lifetime tailoring is experimentally analysed in fast recovery high-power diodes. For this purpose, the carrier lifetime and excess carrier oncentration profiles are measured in both unirradiated and helium irradiated diodes. Employing the experimental lifetime profiles as input parameters, the SRH model parameters of device simulator are calibrated. Excellent agreement between the simulation and experimental results is obtained.
Název v anglickém jazyce
Free Carrier Absorption Investigations on Ion Irradiated Fast Recovery Diodes
Popis výsledku anglicky
The combination of emitter control with local lifetime tailoring is experimentally analysed in fast recovery high-power diodes. For this purpose, the carrier lifetime and excess carrier oncentration profiles are measured in both unirradiated and helium irradiated diodes. Employing the experimental lifetime profiles as input parameters, the SRH model parameters of device simulator are calibrated. Excellent agreement between the simulation and experimental results is obtained.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs
ISBN
978-4-88686-069-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Hiroshima
Datum konání akce
6. 6. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—