Study of thin SiOx film deposition by DBD at the atmospheric pressure
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00180976" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00180976 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Study of thin SiOx film deposition by DBD at the atmospheric pressure
Popis výsledku v původním jazyce
Our contribution takes a step towards the transfer of the well proven plasma enchased chemical vapour deposition (PE CVD) method into the atmospheric pressure region and discusses possible application of DBD sustaining in argon with admixture of hexamethyldisiloxane (HMDSO) and oxygen for deposition of SiOx thin films. Films were deposited on polystyrene substrates. The relations between thin film parameters and deposition process conditions were studied. Our research focused on influence of surface morphology and chemical composition in dependence on working parameters. We concentrated on connection between concentration of the organosilicon reagent transported by the argon flow into the discharge region, concentration of the oxygen in the discharge atmosphere and surface properties of SiOx thin films.
Název v anglickém jazyce
Study of thin SiOx film deposition by DBD at the atmospheric pressure
Popis výsledku anglicky
Our contribution takes a step towards the transfer of the well proven plasma enchased chemical vapour deposition (PE CVD) method into the atmospheric pressure region and discusses possible application of DBD sustaining in argon with admixture of hexamethyldisiloxane (HMDSO) and oxygen for deposition of SiOx thin films. Films were deposited on polystyrene substrates. The relations between thin film parameters and deposition process conditions were studied. Our research focused on influence of surface morphology and chemical composition in dependence on working parameters. We concentrated on connection between concentration of the organosilicon reagent transported by the argon flow into the discharge region, concentration of the oxygen in the discharge atmosphere and surface properties of SiOx thin films.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Acta Technica CSAV
ISSN
0001-7043
e-ISSN
—
Svazek periodika
56
Číslo periodika v rámci svazku
—
Stát vydavatele periodika
CZ - Česká republika
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
"T388"-"T396"
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—