Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Universal behavioral model for accurate modeling of high voltage devices

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F14%3A00227884" target="_blank" >RIV/68407700:21230/14:00227884 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.2495/CTA140671" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.2495/CTA140671</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.2495/CTA140671" target="_blank" >10.2495/CTA140671</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Universal behavioral model for accurate modeling of high voltage devices

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper presents the universal behavioral model applicable in Spice simulators for the simulation of high voltage components containing pinch effect and related phenomena, e.g., HV LDMOS, startup FET, dual gate JFET or pinch resistor. Unlike standardcompact models focused typically to the submicron technologies operating in voltages <<100 V the presented model is in HV applications more accurate and contains all phenomena typical for devices operating in hundred volts, including parasitic effects.

  • Název v anglickém jazyce

    Universal behavioral model for accurate modeling of high voltage devices

  • Popis výsledku anglicky

    This paper presents the universal behavioral model applicable in Spice simulators for the simulation of high voltage components containing pinch effect and related phenomena, e.g., HV LDMOS, startup FET, dual gate JFET or pinch resistor. Unlike standardcompact models focused typically to the submicron technologies operating in voltages <<100 V the presented model is in HV applications more accurate and contains all phenomena typical for devices operating in hundred volts, including parasitic effects.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the 2014 International Conference on Communication Technology and Application (CTA 2014)

  • ISBN

    978-1-84564-930-2

  • ISSN

    1743-3517

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    545-551

  • Název nakladatele

    WIT Press, Ashurst Lodge

  • Místo vydání

    Southampton

  • Místo konání akce

    Beijing

  • Datum konání akce

    19. 8. 2014

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku