Anomalous Phenomena in Ultra High Voltage JFET Channel Pinching

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F18%3A00321914" target="_blank" >RIV/68407700:21230/18:00321914 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8376349" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8376349</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/RADIOELEK.2018.8376349" target="_blank" >10.1109/RADIOELEK.2018.8376349</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Anomalous Phenomena in Ultra High Voltage JFET Channel Pinching

Popis výsledku v původním jazyce

The paper deals with challenges in the modeling of high voltage JFET. As the most important, the effect of pinch-off voltage and related issues are discussed here. The pinch-off voltage in the traditional SPICE compact JFET model is only considered as a drop in the drain-source current, while other phenomena, such as capacitance sharp drop, or punch-through between gate and substrate are completely ignored. The traditional compact JFET model does not even consider the gate as isolated from substrate. In this paper, an implementation of a dual-gate JFET model is discussed with a special emphasis on pinch-off voltage and related effects.

Název v anglickém jazyce

Anomalous Phenomena in Ultra High Voltage JFET Channel Pinching

Popis výsledku anglicky

The paper deals with challenges in the modeling of high voltage JFET. As the most important, the effect of pinch-off voltage and related issues are discussed here. The pinch-off voltage in the traditional SPICE compact JFET model is only considered as a drop in the drain-source current, while other phenomena, such as capacitance sharp drop, or punch-through between gate and substrate are completely ignored. The traditional compact JFET model does not even consider the gate as isolated from substrate. In this paper, an implementation of a dual-gate JFET model is discussed with a special emphasis on pinch-off voltage and related effects.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2018 28th International Conference Radioelektronika

ISBN

978-1-5386-2485-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1-4

Název nakladatele

IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers)

Místo vydání

—

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

19. 4. 2018

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—