Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

The Effectof Light Ion Irradiation on 4H-SiC MPS Power Diode Characteristics: Experiment and Simulation

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00229446" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00229446 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2395712" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2395712</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2395712" target="_blank" >10.1109/TNS.2015.2395712</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    The Effectof Light Ion Irradiation on 4H-SiC MPS Power Diode Characteristics: Experiment and Simulation

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this article, the effect of local radiation damage on the electrical characteristics of 1700 V 4H-SiC Merged-Pin Schottky (MPS) diode have been investigated. Radiation defects introduced by irradiation with 670 keV protons were placed into the low?doped n-type epi?layer and their influence on diode characteristics were characterized by capacitance DLTS, C-V profiling and I-V measurements. Simulation model laccounting for the effect of proton irradiation was developed, calibrated and used for analysisof underlying effects and temperature dependencies.

  • Název v anglickém jazyce

    The Effectof Light Ion Irradiation on 4H-SiC MPS Power Diode Characteristics: Experiment and Simulation

  • Popis výsledku anglicky

    In this article, the effect of local radiation damage on the electrical characteristics of 1700 V 4H-SiC Merged-Pin Schottky (MPS) diode have been investigated. Radiation defects introduced by irradiation with 670 keV protons were placed into the low?doped n-type epi?layer and their influence on diode characteristics were characterized by capacitance DLTS, C-V profiling and I-V measurements. Simulation model laccounting for the effect of proton irradiation was developed, calibrated and used for analysisof underlying effects and temperature dependencies.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GAP102%2F12%2F2108" target="_blank" >GAP102/12/2108: Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    IEEE Transactions on Nuclear Science

  • ISSN

    0018-9499

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    62

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    534-541

  • Kód UT WoS článku

    000352887500016

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84928164765