The Effectof Light Ion Irradiation on 4H-SiC MPS Power Diode Characteristics: Experiment and Simulation

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00229446" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00229446 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2395712" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2395712</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2395712" target="_blank" >10.1109/TNS.2015.2395712</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

The Effectof Light Ion Irradiation on 4H-SiC MPS Power Diode Characteristics: Experiment and Simulation

Popis výsledku v původním jazyce

In this article, the effect of local radiation damage on the electrical characteristics of 1700 V 4H-SiC Merged-Pin Schottky (MPS) diode have been investigated. Radiation defects introduced by irradiation with 670 keV protons were placed into the low?doped n-type epi?layer and their influence on diode characteristics were characterized by capacitance DLTS, C-V profiling and I-V measurements. Simulation model laccounting for the effect of proton irradiation was developed, calibrated and used for analysisof underlying effects and temperature dependencies.

Název v anglickém jazyce

The Effectof Light Ion Irradiation on 4H-SiC MPS Power Diode Characteristics: Experiment and Simulation

Popis výsledku anglicky

In this article, the effect of local radiation damage on the electrical characteristics of 1700 V 4H-SiC Merged-Pin Schottky (MPS) diode have been investigated. Radiation defects introduced by irradiation with 670 keV protons were placed into the low?doped n-type epi?layer and their influence on diode characteristics were characterized by capacitance DLTS, C-V profiling and I-V measurements. Simulation model laccounting for the effect of proton irradiation was developed, calibrated and used for analysisof underlying effects and temperature dependencies.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP102%2F12%2F2108" target="_blank" >GAP102/12/2108: Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN

0018-9499

e-ISSN

—

Svazek periodika

62

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

534-541

Kód UT WoS článku

000352887500016

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84928164765