Effect of Ion Irradiation on Electrical Characteristics of 1200V SiC Schottky Diodes

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F12%3A00199063" target="_blank" >RIV/68407700:21230/12:00199063 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effect of Ion Irradiation on Electrical Characteristics of 1200V SiC Schottky Diodes

Popis výsledku v původním jazyce

The effect of ion irradiation on electrical characteristics of SiC Schottky barrier power diodes was investigated. Diodes were irradiated from the anode side with 550 keV protons or 1.9 MeV alphas to place radiation defect maximum into the low doped epitaxial layer which formed the N-base of the diode. Radiation defects were then characterized by capacitance deep-level transient spectroscopy and their influence on diode static and dynamic characteristics was evaluated. Results show that low fluences ofboth proton and alpha particle irradiation have a negligible effect on dynamic and blocking characteristics of SiC power diodes. However, in contrast with silicon devices, the ON-state resistance of SiC diodes increases significantly already at very lowfluences. This negative effect is given by high introduction rates of radiation defects in SiC due to the suppressed annihilation of primary damage.

Název v anglickém jazyce

Effect of Ion Irradiation on Electrical Characteristics of 1200V SiC Schottky Diodes

Popis výsledku anglicky

The effect of ion irradiation on electrical characteristics of SiC Schottky barrier power diodes was investigated. Diodes were irradiated from the anode side with 550 keV protons or 1.9 MeV alphas to place radiation defect maximum into the low doped epitaxial layer which formed the N-base of the diode. Radiation defects were then characterized by capacitance deep-level transient spectroscopy and their influence on diode static and dynamic characteristics was evaluated. Results show that low fluences ofboth proton and alpha particle irradiation have a negligible effect on dynamic and blocking characteristics of SiC power diodes. However, in contrast with silicon devices, the ON-state resistance of SiC diodes increases significantly already at very lowfluences. This negative effect is given by high introduction rates of radiation defects in SiC due to the suppressed annihilation of primary damage.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP102%2F12%2F2108" target="_blank" >GAP102/12/2108: Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ISPS'12 PROCEEDINGS

ISBN

978-80-01-05100-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

137-142

Název nakladatele

České vysoké učení technické v Praze

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

28. 8. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—