Radiation defects produced in 4H-SiC epilayers by proton and alpha particle irradiation

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F13%3A00201109" target="_blank" >RIV/68407700:21230/13:00201109 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.661" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.661</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.661" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.661</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Radiation defects produced in 4H-SiC epilayers by proton and alpha particle irradiation

Popis výsledku v původním jazyce

Electronic properties of radiation damage produced in 4H-SiC epilayer by proton and alpha particle irradiation were investigated and compared. 4H-SiC epilayers, which formed the low doped n-base of Schottky barrier power diodes, were irradiated to identical depth with 550 keV protons and 1.9 MeV alphas. Radiation defects were then characterized by capacitance deep-level transient spectroscopy and C-V measurements.

Název v anglickém jazyce

Radiation defects produced in 4H-SiC epilayers by proton and alpha particle irradiation

Popis výsledku anglicky

Electronic properties of radiation damage produced in 4H-SiC epilayer by proton and alpha particle irradiation were investigated and compared. 4H-SiC epilayers, which formed the low doped n-base of Schottky barrier power diodes, were irradiated to identical depth with 550 keV protons and 1.9 MeV alphas. Radiation defects were then characterized by capacitance deep-level transient spectroscopy and C-V measurements.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP102%2F12%2F2108" target="_blank" >GAP102/12/2108: Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Silicon Carbide and Related Materials 2012

ISBN

978-3-03785-624-6

ISSN

0255-5476

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

661-664

Název nakladatele

Transtech Publications

Místo vydání

Zürich

Místo konání akce

Saint- Petersburg

Datum konání akce

2. 9. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000319785500157