Radiation Defects Created in n-Type 4H-SiC by Electron Irradiation in the Energy Range of 1-10 MeV

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F19%3A00332048" target="_blank" >RIV/68407700:21230/19:00332048 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1002/pssa.201900312" target="_blank" >https://doi.org/10.1002/pssa.201900312</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201900312" target="_blank" >10.1002/pssa.201900312</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Radiation Defects Created in n-Type 4H-SiC by Electron Irradiation in the Energy Range of 1-10 MeV

Popis výsledku v původním jazyce

Radiation damage produced in 4H–SiC n–epilayers by electrons of different energies is presented. Junction Barrier Schottky power SiC diodes were irradiated with 1.05, 2.1, 5 and 10 MeV electrons with doses up to 600 kGy. Radiation defects are characterized by capacitance deep-level transient spectroscopy and C-V measurement. The stability of introduced defects and their effect on carrier lifetime reduction is discussed, as well.

Název v anglickém jazyce

Radiation Defects Created in n-Type 4H-SiC by Electron Irradiation in the Energy Range of 1-10 MeV

Popis výsledku anglicky

Radiation damage produced in 4H–SiC n–epilayers by electrons of different energies is presented. Junction Barrier Schottky power SiC diodes were irradiated with 1.05, 2.1, 5 and 10 MeV electrons with doses up to 600 kGy. Radiation defects are characterized by capacitance deep-level transient spectroscopy and C-V measurement. The stability of introduced defects and their effect on carrier lifetime reduction is discussed, as well.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/GAP102%2F12%2F2108" target="_blank" >GAP102/12/2108: Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE

ISSN

1862-6300

e-ISSN

1862-6319

Svazek periodika

216

Číslo periodika v rámci svazku

17

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000479458000001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85069874075