Modeling and fabrication of single cantilever piezoelectric microgenerator with optimised ZnO active layer
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00230012" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00230012 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609015005878" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609015005878</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2015.05.053" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2015.05.053</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Modeling and fabrication of single cantilever piezoelectric microgenerator with optimised ZnO active layer
Popis výsledku v původním jazyce
This paper presents design and fabrication process details of a piezoelectric generator with a thin film Zinc Oxide (ZnO) layer. Structure of the piezoelectrical cantilever beam harvester consists of ZnO layer in between two insulating Al2O3 layers and outer aluminium contacts deposited on a silicon substrate. This multilayer system was prepared by the combination of radio - frequency and direct - current magnetron sputtering. Geometrical arrangement of the substrate holder and deposition target was optimized in order to reduce the disruptive effect of the high energy ions bombardment on the ZnO film microstructure. We present ZnO microstructure characterizati on by means of X-ray diffraction and scanning electron microscopy related to the estimation of internal micro-strains, crystallite sizes and deposition rates. Maximum generated open-circuit voltage achieved close to the cantilever resonant frequency of 595 Hz was 0.975 V.
Název v anglickém jazyce
Modeling and fabrication of single cantilever piezoelectric microgenerator with optimised ZnO active layer
Popis výsledku anglicky
This paper presents design and fabrication process details of a piezoelectric generator with a thin film Zinc Oxide (ZnO) layer. Structure of the piezoelectrical cantilever beam harvester consists of ZnO layer in between two insulating Al2O3 layers and outer aluminium contacts deposited on a silicon substrate. This multilayer system was prepared by the combination of radio - frequency and direct - current magnetron sputtering. Geometrical arrangement of the substrate holder and deposition target was optimized in order to reduce the disruptive effect of the high energy ions bombardment on the ZnO film microstructure. We present ZnO microstructure characterizati on by means of X-ray diffraction and scanning electron microscopy related to the estimation of internal micro-strains, crystallite sizes and deposition rates. Maximum generated open-circuit voltage achieved close to the cantilever resonant frequency of 595 Hz was 0.975 V.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
e-ISSN
—
Svazek periodika
591
Číslo periodika v rámci svazku
9
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
305-310
Kód UT WoS článku
000362008000028
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84942838059