Capacitive methodes for testing of power semiconductor devices

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00230138" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00230138 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://casopisi.junis.ni.ac.rs/index.php/FUElectEnerg/article/view/882/616" target="_blank" >http://casopisi.junis.ni.ac.rs/index.php/FUElectEnerg/article/view/882/616</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.2298/FUEE1503495P" target="_blank" >10.2298/FUEE1503495P</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Capacitive methodes for testing of power semiconductor devices

Popis výsledku v původním jazyce

Electrical capacity of power semiconductor devices is quite an important parameter that can be utilized not only for testing a component itself, but it can also be applied practically; e.g. in series-connected high voltage devices. This paper first analyzes the theoretical voltage distribution on the bases of the polarized p-n junction, as well as the size of capacity. The measurement of the voltage capacity dependence using the resonance principle is illustrated on the samples of 4kV and 6kV thyristors. The correspondence between theoretical estimate of the capacity, measured voltage capacity dependence based on the resonance principle and experimentally determined by injected charge proves the correctness of the applied procedures and assumptions.

Název v anglickém jazyce

Capacitive methodes for testing of power semiconductor devices

Popis výsledku anglicky

Electrical capacity of power semiconductor devices is quite an important parameter that can be utilized not only for testing a component itself, but it can also be applied practically; e.g. in series-connected high voltage devices. This paper first analyzes the theoretical voltage distribution on the bases of the polarized p-n junction, as well as the size of capacity. The measurement of the voltage capacity dependence using the resonance principle is illustrated on the samples of 4kV and 6kV thyristors. The correspondence between theoretical estimate of the capacity, measured voltage capacity dependence based on the resonance principle and experimentally determined by injected charge proves the correctness of the applied procedures and assumptions.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Facta Universitatis

ISSN

0353-3670

e-ISSN

—

Svazek periodika

28

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

CS - Srbsko a Černá Hora

Počet stran výsledku

11

Strana od-do

495-505

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—