Simulace nábojové pumpy za účelem optimalizace jejích vlastností
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00233819" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00233819 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Simulace nábojové pumpy za účelem optimalizace jejích vlastností
Popis výsledku v původním jazyce
Současné technologie používané pro výrobu submikronových nonvolatilních pamětí vyžadují silné nasazení prostředků pro měření a testování. Pro aktivaci testovacího režimu je nutný ?vysokonapěťový? generátor, který je buď zabudován na čipu, nebo je připojen z vnějšku. Náš příspěvek se věnuje návrhu nábojové pumpy zabudované do čipu, která představuje jádro vysokonapěťového generátoru. Kritéria, která musí takový vysokonapěťový generátor splňovat, jsou uvedena níže. V našem příspěvku jsou částečně zmíněnai návrhová kritéria pro nábojové pumpy a možnosti, pomocí kterých lze optimalizovat jejich vlastnosti.
Název v anglickém jazyce
Simulation of the charge pump for optimizing its properties
Popis výsledku anglicky
Current technologies used to manufacture submicron volatile memory require strong deployment of means for measuring and testing. To activate the test mode is required "high voltage" generator, which is either incorporated on the chip or attached externally. Our paper focuses on the design charge pump built into the chip, which is the core of the high-voltage generator. The criteria that must comply with such a high-voltage generator, are listed below. In our paper we are partly also mentioned design criteria for the charge pump and the options you can use to optimize their properties.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
V. Letní doktorandské dny 2015
ISBN
978-80-01-05749-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
12-16
Název nakladatele
ČVUT FEL, Katedra teorie obvodů
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
28. 5. 2015
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—