Modelovaní funkčních bloků křížově vázané nábojové pumpy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00303035" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00303035 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://sami.fel.cvut.cz/LDD16/" target="_blank" >http://sami.fel.cvut.cz/LDD16/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Modelovaní funkčních bloků křížově vázané nábojové pumpy

Popis výsledku v původním jazyce

V tomto článku je uveden rozbor buňky křížově vázané nábojové pumpy používané pro napájení nízkopříkonových obvodů. V úvodu jsou uvedeny základní složky pumpovacích ztrát a jejich důsledky v reálném obvodu. V hlavní části je provedena optimalizace základních bloků-invertoru a spínače za účelem dosažení maximálního napěťového zisku. Optimalizační proces zahrnuje analytický popis a elementární simulace příslušných charakteristik (statických, dynamických) těchto bloků v profesionálním návrhovém prostředí Mentor Graphics, se zahrnutím reálných prvků dostupných v knihovně MGC Design Kit. Modely dílčích bloků jsou sestaveny na základě rovnic BSIM modelu MOSFET tranzistorů, zjednodušených pro konkrétní aplikaci. Přínosem práce jsou jednak získané analytické vztahy pro návrh invertoru a spínače a jednak vytvořeny ekvivalentní nelineární model buňky nábojové pumpy, jež je použitelný pro sestavení návrhového algoritmu.

Název v anglickém jazyce

Modeling of the functional blocks of the cross-coupled charge pump

Popis výsledku anglicky

This article deals with the analysis of the cross-coupled charge pump that is used in low-power circuits. In the introduction, the main part of the pump losses are mentioned and their consequences in the real circuit. In the main part, the optimization process of the basic pump blocks, e.g. inverter and switch, is done to achieve the maximum voltage gain. The optimization process includes an analytical description and simulation of the static and dynamic characteristics of these blocks in the professional design environment Mentor Graphics, where the real models of the components are available in the library MGC Design Kit. Partial block models design are based on the BSIM model equations for MOSFET transistors that are simplified for the specific application. The main benefit of are both found the analytical relations for the design process of the inverter and switch and the equivalent nonlinear pump cell model, which is applicable for the design algorithm.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

VI. Letní doktorandské dny 2016

ISBN

978-80-01-05959-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

18-23

Název nakladatele

ČVUT FEL, Katedra teorie obvodů

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

2. 6. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—