Techniques of JFET Gate Capacitance Modeling

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00305219" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00305219 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.iaeng.org/publication/WCECS2016/WCECS2016_pp771-775.pdf" target="_blank" >http://www.iaeng.org/publication/WCECS2016/WCECS2016_pp771-775.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Techniques of JFET Gate Capacitance Modeling

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents various techniques and principles of modeling JFET gate capacitance. Various layout concepts as well as their gate capacitance measurements and modeling techniques are presented. Experience with potential modeling or measurement challenges is shared. The paper also deals with an often-omitted tight interaction between C-V and DC models, necessary for the well-fitting compact model. Good agreement has been achieved between measured silicon data and SPICE simulations for all discussed layout variants. Plots of various layouts and various tests from real production models are also presented.

Název v anglickém jazyce

Techniques of JFET Gate Capacitance Modeling

Popis výsledku anglicky

This paper presents various techniques and principles of modeling JFET gate capacitance. Various layout concepts as well as their gate capacitance measurements and modeling techniques are presented. Experience with potential modeling or measurement challenges is shared. The paper also deals with an often-omitted tight interaction between C-V and DC models, necessary for the well-fitting compact model. Good agreement has been achieved between measured silicon data and SPICE simulations for all discussed layout variants. Plots of various layouts and various tests from real production models are also presented.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

World Congress on Engineering and Computer Science 2016

ISBN

978-988-14048-2-4

ISSN

2078-0958

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

771-775

Název nakladatele

Newswood Limited - International Association of Engineers

Místo vydání

Hong Kong

Místo konání akce

San Francisco

Datum konání akce

19. 10. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—