Silicon Thyristors for Ultrahigh Power (GW) Applications (Invited Paper)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F17%3A00307988" target="_blank" >RIV/68407700:21230/17:00307988 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://ieeexplore.ieee.org/document/7819558/" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/document/7819558/</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TED.2016.2638476" target="_blank" >10.1109/TED.2016.2638476</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Silicon Thyristors for Ultrahigh Power (GW) Applications (Invited Paper)

Popis výsledku v původním jazyce

Evolution of thyristor technology and the design concepts, which brought and maintain the phase control thyristor (PCT) at the top of a power pyramid, are discussed. The state-of-the-art device concepts like electrically triggered thyristor and light triggered thyristor are described for voltage classes up to 8.5 kV and maximal onstate rated current of 6 kA. Main focus is laid on the PCTs for high-voltage direct current transmission, the enabler of power transmission beyond the 10-GW level.

Název v anglickém jazyce

Silicon Thyristors for Ultrahigh Power (GW) Applications (Invited Paper)

Popis výsledku anglicky

Evolution of thyristor technology and the design concepts, which brought and maintain the phase control thyristor (PCT) at the top of a power pyramid, are discussed. The state-of-the-art device concepts like electrically triggered thyristor and light triggered thyristor are described for voltage classes up to 8.5 kV and maximal onstate rated current of 6 kA. Main focus is laid on the PCTs for high-voltage direct current transmission, the enabler of power transmission beyond the 10-GW level.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN

0018-9383

e-ISSN

1557-9646

Svazek periodika

64

Číslo periodika v rámci svazku

03

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

760-768

Kód UT WoS článku

000396056700010

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85009949457