Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Visible-frequency plasmonic enhancement at the edge of graphene/h-BN heterostructures on silicon substrate

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F24%3A00374539" target="_blank" >RIV/68407700:21230/24:00374539 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1016/j.carbon.2024.118836" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.carbon.2024.118836</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2024.118836" target="_blank" >10.1016/j.carbon.2024.118836</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Visible-frequency plasmonic enhancement at the edge of graphene/h-BN heterostructures on silicon substrate

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Heterostructures of graphene and hexagonal boron nitride (G/h-BN) have been widely studied for controlling and utilizing graphene electronic properties. Here we characterize specific optical and electronic properties of G/h-BN heterostructures made of a high-quality single layer chemical vapor deposition (CVD) graphene laid over h-BN flakes, with focus on plasmonic effects. We compare the G/h-BN properties on Si and SiO2 substrates by micro-Raman spectroscopy mapping, Kelvin probe force microscopy, optical and atomic force microscopy. We observe highly enhanced Raman intensity (up to 280 %) from Si as well as graphene along the G/h-BN edge. It is attributed to localized concentration of electrons in graphene and suitable perpendicular orientation of plasmonic vibrations at the edge. The plasmonic Raman enhancement occurs under a visible light excitation (532 nm) and the effect can be tuned by the h-BN flake thickness (10–150 nm). The enhancement is specific to G/h-BN/Si structures, on G/h-BN/SiO2 structures the Raman signal is suppressed while I2D/IG ratio is increased. Vice versa, change of surface potential under visible light illumination (photovoltage) is on G/h-BN/Si negligible (within 10 mV) compared to the G/h-BN/SiO2 structures. These results open new prospects for broad utilization of localized visible plasmonic effects in graphene.

  • Název v anglickém jazyce

    Visible-frequency plasmonic enhancement at the edge of graphene/h-BN heterostructures on silicon substrate

  • Popis výsledku anglicky

    Heterostructures of graphene and hexagonal boron nitride (G/h-BN) have been widely studied for controlling and utilizing graphene electronic properties. Here we characterize specific optical and electronic properties of G/h-BN heterostructures made of a high-quality single layer chemical vapor deposition (CVD) graphene laid over h-BN flakes, with focus on plasmonic effects. We compare the G/h-BN properties on Si and SiO2 substrates by micro-Raman spectroscopy mapping, Kelvin probe force microscopy, optical and atomic force microscopy. We observe highly enhanced Raman intensity (up to 280 %) from Si as well as graphene along the G/h-BN edge. It is attributed to localized concentration of electrons in graphene and suitable perpendicular orientation of plasmonic vibrations at the edge. The plasmonic Raman enhancement occurs under a visible light excitation (532 nm) and the effect can be tuned by the h-BN flake thickness (10–150 nm). The enhancement is specific to G/h-BN/Si structures, on G/h-BN/SiO2 structures the Raman signal is suppressed while I2D/IG ratio is increased. Vice versa, change of surface potential under visible light illumination (photovoltage) is on G/h-BN/Si negligible (within 10 mV) compared to the G/h-BN/SiO2 structures. These results open new prospects for broad utilization of localized visible plasmonic effects in graphene.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20506 - Coating and films

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EF15_003%2F0000464" target="_blank" >EF15_003/0000464: Centrum pokročilé fotovoltaiky</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2024

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Carbon

  • ISSN

    0008-6223

  • e-ISSN

    1873-3891

  • Svazek periodika

    219

  • Číslo periodika v rámci svazku

    February

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    001169104300001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85184996598