Efficient triplet exciton phosphorescence quenching from a rhenium monolayer on silicon

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F24%3A00376595" target="_blank" >RIV/68407700:21230/24:00376595 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1039/d4tc02027h" target="_blank" >https://doi.org/10.1039/d4tc02027h</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1039/d4tc02027h" target="_blank" >10.1039/d4tc02027h</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Efficient triplet exciton phosphorescence quenching from a rhenium monolayer on silicon

Popis výsledku v původním jazyce

We report efficient triplet exciton phosphorescence quenching from a Langmuir–Blodgett monolayer of a modified rhenium(I) fac-tricarbonyl bipyridine complex on the surface of crystalline silicon substrates indicating energy transfer. We monitor the luminescence quenching using phosphorescence lifetime imaging microscopy measurements as a function of distance of the monolayer to the silicon surface and have fitted the experimental phosphorescence lifetimes to a classical optical model. Our results show up to 95% phosphorescence quenching when the monolayer is close to the silicon surface (approx 2 nm) indicative of efficient triplet resonance energy transfer from the rhenium monolayer to the silicon substrate. We believe this to be the first report of triplet sensitisation of silicon as a function of distance by a metal complex, and the most efficient triplet phosphorescence quenching from silicon reported to date.

Název v anglickém jazyce

Efficient triplet exciton phosphorescence quenching from a rhenium monolayer on silicon

Popis výsledku anglicky

We report efficient triplet exciton phosphorescence quenching from a Langmuir–Blodgett monolayer of a modified rhenium(I) fac-tricarbonyl bipyridine complex on the surface of crystalline silicon substrates indicating energy transfer. We monitor the luminescence quenching using phosphorescence lifetime imaging microscopy measurements as a function of distance of the monolayer to the silicon surface and have fitted the experimental phosphorescence lifetimes to a classical optical model. Our results show up to 95% phosphorescence quenching when the monolayer is close to the silicon surface (approx 2 nm) indicative of efficient triplet resonance energy transfer from the rhenium monolayer to the silicon substrate. We believe this to be the first report of triplet sensitisation of silicon as a function of distance by a metal complex, and the most efficient triplet phosphorescence quenching from silicon reported to date.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10403 - Physical chemistry

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Materials Chemistry C

ISSN

2050-7526

e-ISSN

2050-7534

Svazek periodika

12

Číslo periodika v rámci svazku

35

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

13822-13826

Kód UT WoS článku

001298401800001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85202678673