Two-Dimensional Device Simulation for the Design Optimization of a Bidirectional Phase Control Thyristor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F25%3A00383045" target="_blank" >RIV/68407700:21230/25:00383045 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1109/TED.2025.3554134" target="_blank" >https://doi.org/10.1109/TED.2025.3554134</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TED.2025.3554134" target="_blank" >10.1109/TED.2025.3554134</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Two-Dimensional Device Simulation for the Design Optimization of a Bidirectional Phase Control Thyristor

Popis výsledku v původním jazyce

The operation of 8.5-kV bidirectional phase control thyristor (BiPCT) is analyzed using calibrated device simulation (TCAD) with the goal of improving the tradeoff between the ON-state and turn-off losses. To cope with the specifics of the BiPCT in 2-D approximation, a special approach to turn the device from the forward blocking regime to the ON-state is introduced. The simulated characteristics of investigated design variants are compared with the ones measured on real devices produced on 100-mm silicon wafers. Both unirradiated and proton irradiated devices are discussed.

Název v anglickém jazyce

Two-Dimensional Device Simulation for the Design Optimization of a Bidirectional Phase Control Thyristor

Popis výsledku anglicky

The operation of 8.5-kV bidirectional phase control thyristor (BiPCT) is analyzed using calibrated device simulation (TCAD) with the goal of improving the tradeoff between the ON-state and turn-off losses. To cope with the specifics of the BiPCT in 2-D approximation, a special approach to turn the device from the forward blocking regime to the ON-state is introduced. The simulated characteristics of investigated design variants are compared with the ones measured on real devices produced on 100-mm silicon wafers. Both unirradiated and proton irradiated devices are discussed.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2025

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN

0018-9383

e-ISSN

1557-9646

Svazek periodika

72

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

2486-2491

Kód UT WoS článku

001470809400001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-105002122292