Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Metrologie Mo/Si mnohavrstevnatých zrcadel na 13,5 nm s použitím zdroje extrémního ultrafialového záření využívajícího laserem produkované plasma na terči z plynového výronu

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F06%3A04138346" target="_blank" >RIV/68407700:21340/06:04138346 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Metrology of Mo/Si multilayer mirrors at 13.5 nm with the use of a laser-produced plasma extreme ultraviolet (EUV) source based on a gas puff target

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this paper an application of a recently developed laser plasma source of extreme ultraviolet (EUV) for optical measurements of optical characteristics of Mo/Si multilayer mirrors is presented. The source is based on an xenon-helium double-stream gas puff target irradiated with laser pulses from a Nd: YAG laser system (E = 0.55 J, t = 3.9 ns, f = 10 Hz, M-2 = 2.5). The results show that the source can be useful for EUV lithography technologies as a metrology tool in the semiconductor industry.

  • Název v anglickém jazyce

    Metrology of Mo/Si multilayer mirrors at 13.5 nm with the use of a laser-produced plasma extreme ultraviolet (EUV) source based on a gas puff target

  • Popis výsledku anglicky

    In this paper an application of a recently developed laser plasma source of extreme ultraviolet (EUV) for optical measurements of optical characteristics of Mo/Si multilayer mirrors is presented. The source is based on an xenon-helium double-stream gas puff target irradiated with laser pulses from a Nd: YAG laser system (E = 0.55 J, t = 3.9 ns, f = 10 Hz, M-2 = 2.5). The results show that the source can be useful for EUV lithography technologies as a metrology tool in the semiconductor industry.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Optica Applicata

  • ISSN

    0078-5466

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    36

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    PL - Polská republika

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    593-600

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus