Není k dispozici
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F07%3A04130885" target="_blank" >RIV/68407700:21340/07:04130885 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Avalanche Photodiode Structure for Photon Counting on Si0.6Ge0.4 Epitaxial Layer
Popis výsledku v původním jazyce
We are presenting the results of the research and development of an avalanche photodiode structure, on the basis of SiGe epitaxial layer on Si wafer. The ultimate goal is to develop a solid state photon counting detector with picosecond timing resolutionand stability and a spectral sensitivity beyond 1100 nanometers. The technology development steps on the Si0.6Ge0.4 epitaxial layer are presented together with the first results of the preparation of the shallow junction and its parameters. The abilityof the avalanche structure to operate in a Geiger mode has been demonstrated for the first time.
Název v anglickém jazyce
Avalanche Photodiode Structure for Photon Counting on Si0.6Ge0.4 Epitaxial Layer
Popis výsledku anglicky
We are presenting the results of the research and development of an avalanche photodiode structure, on the basis of SiGe epitaxial layer on Si wafer. The ultimate goal is to develop a solid state photon counting detector with picosecond timing resolutionand stability and a spectral sensitivity beyond 1100 nanometers. The technology development steps on the Si0.6Ge0.4 epitaxial layer are presented together with the first results of the preparation of the shallow junction and its parameters. The abilityof the avalanche structure to operate in a Geiger mode has been demonstrated for the first time.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Physics of Semiconductors: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors
ISBN
978-0-7354-0397-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
1429-1430
Název nakladatele
American Institute of Physics
Místo vydání
Melville, New York
Místo konání akce
Vienna
Datum konání akce
24. 7. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—