Nanostructured three-dimensional thin film silicon solar cells with very high efficiency potential

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F11%3A00175421" target="_blank" >RIV/68407700:21340/11:00175421 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1063/1.3583377" target="_blank" >https://doi.org/10.1063/1.3583377</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3583377" target="_blank" >10.1063/1.3583377</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Nanostructured three-dimensional thin film silicon solar cells with very high efficiency potential

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the experimental realization of amorphous/microcrystalline silicon tandem solar cells (Micromorph) based on our 3-dimensional design. An enhancement is reached in the short-circuit current by 40%, with an excellent open-circuit voltage of 1.41V and a fill factor of 72%. We have used nano- or micro-holes dry etched into the ZnO front contact layer.Monte Carlo optical modeling shows that stable efficiencies of amorphous silicon p-i-n solar cells in over 12% range are possible and for Micromorph cells over 15% with the thickness of amorphous Si below 200 nm and of microcrystalline Si around 500 nm.

Název v anglickém jazyce

Nanostructured three-dimensional thin film silicon solar cells with very high efficiency potential

Popis výsledku anglicky

We report on the experimental realization of amorphous/microcrystalline silicon tandem solar cells (Micromorph) based on our 3-dimensional design. An enhancement is reached in the short-circuit current by 40%, with an excellent open-circuit voltage of 1.41V and a fill factor of 72%. We have used nano- or micro-holes dry etched into the ZnO front contact layer.Monte Carlo optical modeling shows that stable efficiencies of amorphous silicon p-i-n solar cells in over 12% range are possible and for Micromorph cells over 15% with the thickness of amorphous Si below 200 nm and of microcrystalline Si around 500 nm.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

1077-3118

Svazek periodika

98

Číslo periodika v rámci svazku

16

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

1-3

Kód UT WoS článku

000289842700072

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-79955392415