Study of Thin Films of LiNbO3 Using FTIR Spectroscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21460%2F11%3A00180477" target="_blank" >RIV/68407700:21460/11:00180477 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of Thin Films of LiNbO3 Using FTIR Spectroscopy

Popis výsledku v původním jazyce

Lithium niobate LiNbO3 is a material which can be used in many applications including waveguide lasers, and nonlinear optics. One of the methods used to characterize this material is Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR). In this paper we reportFTIR measurement results of LiNbO3 layers prepared by Pulsed Laser Deposition method. The SiO2/Si and sapphire (0001) was used as substrates. Films were created at substrate temperatures 650°C, 700°C, 750°C and thickness of ~680 nanometers. FTIR spectrometer is based on absorption of infrared radiation and the interference process is implemented instead of classical dispersion method. The spectral region is frequently set to 4000-400 cm-1

Název v anglickém jazyce

Study of Thin Films of LiNbO3 Using FTIR Spectroscopy

Popis výsledku anglicky

Lithium niobate LiNbO3 is a material which can be used in many applications including waveguide lasers, and nonlinear optics. One of the methods used to characterize this material is Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR). In this paper we reportFTIR measurement results of LiNbO3 layers prepared by Pulsed Laser Deposition method. The SiO2/Si and sapphire (0001) was used as substrates. Films were created at substrate temperatures 650°C, 700°C, 750°C and thickness of ~680 nanometers. FTIR spectrometer is based on absorption of infrared radiation and the interference process is implemented instead of classical dispersion method. The spectral region is frequently set to 4000-400 cm-1

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

POSTER 2011 - 15th International Student Conference on Electrical Engineering

ISBN

978-80-01-04806-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1-4

Název nakladatele

ČVUT, Fakulta elektrotechnická

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Prague

Datum konání akce

12. 5. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—