A single layer 3D tracking semiconductor detector

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F16%3A00321490" target="_blank" >RIV/68407700:21670/16:00321490 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://www.j-platpat.inpit.go.jp/web/PU/JPB_6040248" target="_blank" >https://www.j-platpat.inpit.go.jp/web/PU/JPB_6040248</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
A single layer 3D tracking semiconductor detector
Popis výsledku v původním jazyce
The present invention relates to a pixel detector, comprising a semiconductor sensor layer, in which charges can be generated upon interaction with particles to be detected. The semiconductor layer defines an X-Y-plane and has a thickness extending in Z-direction. ### The patent is exploited by its owner.
Název v anglickém jazyce
A single layer 3D tracking semiconductor detector
Popis výsledku anglicky
The present invention relates to a pixel detector, comprising a semiconductor sensor layer, in which charges can be generated upon interaction with particles to be detected. The semiconductor layer defines an X-Y-plane and has a thickness extending in Z-direction. ### The patent is exploited by its owner.

Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru
JP6040248
Vydavatel
JP001 -
Název vydavatele
Japan Patent Office (JPO)
Místo vydání
Tokyo
Stát vydání
JP - Japonsko
Datum přijetí
7. 12. 2016
Název vlastníka
CERN-European Organisation for Nuclear Research;Friedrich-Alexander-Universitat Erlange-Nurnberg;Czech technical University in Prague
Způsob využití
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Podobné výsledky(10)