Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

A single layer 3D tracking semiconductor detector

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F16%3A00321490" target="_blank" >RIV/68407700:21670/16:00321490 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://www.j-platpat.inpit.go.jp/web/PU/JPB_6040248" target="_blank" >https://www.j-platpat.inpit.go.jp/web/PU/JPB_6040248</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    A single layer 3D tracking semiconductor detector

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The present invention relates to a pixel detector, comprising a semiconductor sensor layer, in which charges can be generated upon interaction with particles to be detected. The semiconductor layer defines an X-Y-plane and has a thickness extending in Z-direction. ### The patent is exploited by its owner.

  • Název v anglickém jazyce

    A single layer 3D tracking semiconductor detector

  • Popis výsledku anglicky

    The present invention relates to a pixel detector, comprising a semiconductor sensor layer, in which charges can be generated upon interaction with particles to be detected. The semiconductor layer defines an X-Y-plane and has a thickness extending in Z-direction. ### The patent is exploited by its owner.

Klasifikace

  • Druh

    P - Patent

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Číslo patentu nebo vzoru

    JP6040248

  • Vydavatel

    JP001 -

  • Název vydavatele

    Japan Patent Office (JPO)

  • Místo vydání

    Tokyo

  • Stát vydání

    JP - Japonsko

  • Datum přijetí

    7. 12. 2016

  • Název vlastníka

    CERN-European Organisation for Nuclear Research;Friedrich-Alexander-Universitat Erlange-Nurnberg;Czech technical University in Prague

  • Způsob využití

    A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence