Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Investigation of the gamma radiation resistance of MAPD-3NK and MPPC-S12572-10P SiPMs

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F25%3A00385669" target="_blank" >RIV/68407700:21670/25:00385669 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/49777513:23220/25:43975515

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2025.107422" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2025.107422</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.radmeas.2025.107422" target="_blank" >10.1016/j.radmeas.2025.107422</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Investigation of the gamma radiation resistance of MAPD-3NK and MPPC-S12572-10P SiPMs

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this paper, we investigate the physical properties of the MPPC-S12572-10P and MAPD-3NK silicon photomultipliers (SiPMs) operating in Geiger mode with both deep-buried pixels and surface pixel structure under the influence of gamma radiation with an average energy of 1.25 MeV. Both types of photodiodes were irradiated with doses of 10 kGy, 40 kGy and 100 kGy. Changes in the dark current, capacitance, photosignal amplitude and operating voltage of the irradiated photodiodes were studied.

  • Název v anglickém jazyce

    Investigation of the gamma radiation resistance of MAPD-3NK and MPPC-S12572-10P SiPMs

  • Popis výsledku anglicky

    In this paper, we investigate the physical properties of the MPPC-S12572-10P and MAPD-3NK silicon photomultipliers (SiPMs) operating in Geiger mode with both deep-buried pixels and surface pixel structure under the influence of gamma radiation with an average energy of 1.25 MeV. Both types of photodiodes were irradiated with doses of 10 kGy, 40 kGy and 100 kGy. Changes in the dark current, capacitance, photosignal amplitude and operating voltage of the irradiated photodiodes were studied.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10304 - Nuclear physics

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2025

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Radiation Measurements

  • ISSN

    1350-4487

  • e-ISSN

    1879-0925

  • Svazek periodika

    183

  • Číslo periodika v rámci svazku

    107422

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1-6

  • Kód UT WoS článku

    001459348200001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-105001025209