Diagnostics of ultra-thin tungsten films on silicon substrate using atomic force microscopy

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F70883521%3A28140%2F14%3A43871862" target="_blank" >RIV/70883521:28140/14:43871862 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Diagnostics of ultra-thin tungsten films on silicon substrate using atomic force microscopy
Popis výsledku v původním jazyce
In this article, atomic force microscopy method was used for diagnostics of ultra-thin tungsten films which were deposited on silicon substrate. Radio frequency magnetron sputtering method was used for tungsten deposition on the surface. According to atomic forces between the tip and the sample, topographical structures were measured and imaged.
Název v anglickém jazyce
Diagnostics of ultra-thin tungsten films on silicon substrate using atomic force microscopy
Popis výsledku anglicky
In this article, atomic force microscopy method was used for diagnostics of ultra-thin tungsten films which were deposited on silicon substrate. Radio frequency magnetron sputtering method was used for tungsten deposition on the surface. According to atomic forces between the tip and the sample, topographical structures were measured and imaged.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0089" target="_blank" >ED2.1.00/03.0089: Centrum bezpečnostních, informačních a pokročilých technologií (CEBIA-Tech)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)