Nízkoteplotní molekulární svazková epitaxe feromagnetického (Ga,Mn)As

Název projektu anglicky
Low-temperature molecular beam epitaxy of ferromagnetic (Ga,Mn)As
Anotace anglicky
The project is aimed at development, realization and optimization of technology for growth of thin films of diluted magnetic semiconductors, in particular Mn-doped GaAs. The magnetic material will be produced in a new, dedicated MBE-facility, ensuring the best possible material purity and growth reproducibility. Prepared samples will be studied by means of transport, optical and magnetometric diagnostics. Resulting parameters will be used both for growth optimization, and for post-processing of the samples. The material obtained as well as the newly developed technology will be used as a base for further experimental research in physics of magnetic semiconductors, complementing the running theoretical research.

Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Na úrovni úzké světové špičky byla zvládnuta technologie přípravy feromagnetického polovodiče (Ga,Mn)As. Vlastním technologickým výzkumem byly nalezeny optimální podmínky pro přípravu jak extrémně tenkých (pod 10 nm), tak velmi silných (500 nm) vrstev s

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP07-GA0-GA-U/03:2
Datum dodání záznamu
16. 10. 2007

Podobné projekty(10)