Defects in N+ ion-implanted ZnO single crystals studied by positron annihilation and Hall effect

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F07%3A10084088" target="_blank" >RIV/00216208:11320/07:10084088 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Defects in N+ ion-implanted ZnO single crystals studied by positron annihilation and Hall effect
Popis výsledku v původním jazyce
High quality ZnO single crystals of dimensions 10 x 10 x 0.5 mm(3), grown by a hydrothermal approach, have been implanted by 40 keV N+ ions to a fluence of 1 x 10(15) cm(-2) at room temperature. Their properties revealed by positron annihilation and Halleffect measurements are given in the as-grown and as-irradiated states, and after post-implantation annealing in an oxygen ambient at 200 degrees C and 500 degrees C.
Název v anglickém jazyce
Defects in N+ ion-implanted ZnO single crystals studied by positron annihilation and Hall effect
Popis výsledku anglicky
High quality ZnO single crystals of dimensions 10 x 10 x 0.5 mm(3), grown by a hydrothermal approach, have been implanted by 40 keV N+ ions to a fluence of 1 x 10(15) cm(-2) at room temperature. Their properties revealed by positron annihilation and Halleffect measurements are given in the as-grown and as-irradiated states, and after post-implantation annealing in an oxygen ambient at 200 degrees C and 500 degrees C.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)