Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

In-situ doping and implantation of GaN layers with Mn

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F09%3A10084015" target="_blank" >RIV/00216208:11320/09:10084015 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    In-situ doping and implantation of GaN layers with Mn

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this paper we present a growth of Ga(1-x)Mn(x)N layers by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy(MOVPE) and ion implantation of GaN layers with Mn. This material is a promising candidate for spintronic applications. The layers were prepared on (0001) sapphire substrates. Optimum parameters of preparations by MOVPE method were investigated and the prepared samples were tested for magnetic properties. The samples were characterized by Secondary Ion Mass Spectrometry(SIMS), Electron Microprobe and Particle Induce X-ray Emission (PIXE) methods, and by Raman spectroscopy. The magnetic parameters were investigated using the Superconducting Quantum Interference Device(SQUID)

  • Název v anglickém jazyce

    In-situ doping and implantation of GaN layers with Mn

  • Popis výsledku anglicky

    In this paper we present a growth of Ga(1-x)Mn(x)N layers by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy(MOVPE) and ion implantation of GaN layers with Mn. This material is a promising candidate for spintronic applications. The layers were prepared on (0001) sapphire substrates. Optimum parameters of preparations by MOVPE method were investigated and the prepared samples were tested for magnetic properties. The samples were characterized by Secondary Ion Mass Spectrometry(SIMS), Electron Microprobe and Particle Induce X-ray Emission (PIXE) methods, and by Raman spectroscopy. The magnetic parameters were investigated using the Superconducting Quantum Interference Device(SQUID)

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Status Solidi. C. Solid State Physics

  • ISSN

    1862-6351

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    6

  • Číslo periodika v rámci svazku

    S2

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus