In-situ doping and Implantation of GaN layers with Mn
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F09%3A00021621" target="_blank" >RIV/60461373:22310/09:00021621 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
In-situ doping and Implantation of GaN layers with Mn
Popis výsledku v původním jazyce
We present a growth of Ga1-xMnxN layers by MOVPE and ion implantation of GaN layers with Mn. The achieved Mn concentration was well below the solubility limit, ranging from 0.2 to 1.1 at.%. Implanted doses of Mn ions were in the range 1x1016 ? 5x1016 Mnatoms.cm-2 with energy of 330 keV. In both in-situ grown and implanted samples, a ferromagnetic component persisting up to room temperature and a prevailing paramagnetic phase were observed. The ferromagnetic moment observed in implanted samples was influenced by free carrier concentration in GaN layers which were used for implantation.
Název v anglickém jazyce
In-situ doping and Implantation of GaN layers with Mn
Popis výsledku anglicky
We present a growth of Ga1-xMnxN layers by MOVPE and ion implantation of GaN layers with Mn. The achieved Mn concentration was well below the solubility limit, ranging from 0.2 to 1.1 at.%. Implanted doses of Mn ions were in the range 1x1016 ? 5x1016 Mnatoms.cm-2 with energy of 330 keV. In both in-situ grown and implanted samples, a ferromagnetic component persisting up to room temperature and a prevailing paramagnetic phase were observed. The ferromagnetic moment observed in implanted samples was influenced by free carrier concentration in GaN layers which were used for implantation.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Status Solidi (c)
ISSN
1610-1634
e-ISSN
—
Svazek periodika
—
Číslo periodika v rámci svazku
S2
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—