Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

In-situ doping and Implantation of GaN layers with Mn

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F09%3A00021621" target="_blank" >RIV/60461373:22310/09:00021621 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    In-situ doping and Implantation of GaN layers with Mn

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We present a growth of Ga1-xMnxN layers by MOVPE and ion implantation of GaN layers with Mn. The achieved Mn concentration was well below the solubility limit, ranging from 0.2 to 1.1 at.%. Implanted doses of Mn ions were in the range 1x1016 ? 5x1016 Mnatoms.cm-2 with energy of 330 keV. In both in-situ grown and implanted samples, a ferromagnetic component persisting up to room temperature and a prevailing paramagnetic phase were observed. The ferromagnetic moment observed in implanted samples was influenced by free carrier concentration in GaN layers which were used for implantation.

  • Název v anglickém jazyce

    In-situ doping and Implantation of GaN layers with Mn

  • Popis výsledku anglicky

    We present a growth of Ga1-xMnxN layers by MOVPE and ion implantation of GaN layers with Mn. The achieved Mn concentration was well below the solubility limit, ranging from 0.2 to 1.1 at.%. Implanted doses of Mn ions were in the range 1x1016 ? 5x1016 Mnatoms.cm-2 with energy of 330 keV. In both in-situ grown and implanted samples, a ferromagnetic component persisting up to room temperature and a prevailing paramagnetic phase were observed. The ferromagnetic moment observed in implanted samples was influenced by free carrier concentration in GaN layers which were used for implantation.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Status Solidi (c)

  • ISSN

    1610-1634

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

  • Číslo periodika v rámci svazku

    S2

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus