Structural and charge trapping properties of two bilayer (Ge+SiO2)/SiO2 films deposited on rippled substrate
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F10%3A10057200" target="_blank" >RIV/00216208:11320/10:10057200 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Structural and charge trapping properties of two bilayer (Ge+SiO2)/SiO2 films deposited on rippled substrate
Popis výsledku v původním jazyce
We studied the structure and charge trapping in volumes of Ge quantum dots in bilayers (Ge+SiO2)/SiO2 grown on rippled substrates
Název v anglickém jazyce
Structural and charge trapping properties of two bilayer (Ge+SiO2)/SiO2 films deposited on rippled substrate
Popis výsledku anglicky
We studied the structure and charge trapping in volumes of Ge quantum dots in bilayers (Ge+SiO2)/SiO2 grown on rippled substrates
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/7E08093" target="_blank" >7E08093: Nanostructured Magnetic Materials for Nano-spintronics</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
e-ISSN
—
Svazek periodika
97
Číslo periodika v rámci svazku
16
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000283502100073
EID výsledku v databázi Scopus
—