Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Přímá implantace Ge iontů, produkovaných laserovými pulsy o velké energii a nízké intensitě, do SiO2 vrstev na Si podložkách

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00054548" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00054548 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Due to the development and growing demends for inplantation techniques, the laser plasma as a source of multiply charged ions been investigated. This experiment concerned the characterization and optimization of laser produced Ge ion fluxes as well as the analysis of the direct implantation of these ions into SiO2 films prepared on the surface of a Si single crystal in the bulk profiles of Ge ion implantation with maximum depth of similar to 450 nm

  • Název v anglickém jazyce

    Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates

  • Popis výsledku anglicky

    Due to the development and growing demends for inplantation techniques, the laser plasma as a source of multiply charged ions been investigated. This experiment concerned the characterization and optimization of laser produced Ge ion fluxes as well as the analysis of the direct implantation of these ions into SiO2 films prepared on the surface of a Si single crystal in the bulk profiles of Ge ion implantation with maximum depth of similar to 450 nm

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LC528" target="_blank" >LC528: Centrum laserového plazmatu</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Scripta

  • ISSN

    0031-8949

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    T123

  • Číslo periodika v rámci svazku

    -

  • Stát vydavatele periodika

    SE - Švédské království

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    148-181

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus