Přímá implantace Ge iontů, produkovaných laserovými pulsy o velké energii a nízké intensitě, do SiO2 vrstev na Si podložkách
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00054548" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00054548 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates
Popis výsledku v původním jazyce
Due to the development and growing demends for inplantation techniques, the laser plasma as a source of multiply charged ions been investigated. This experiment concerned the characterization and optimization of laser produced Ge ion fluxes as well as the analysis of the direct implantation of these ions into SiO2 films prepared on the surface of a Si single crystal in the bulk profiles of Ge ion implantation with maximum depth of similar to 450 nm
Název v anglickém jazyce
Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates
Popis výsledku anglicky
Due to the development and growing demends for inplantation techniques, the laser plasma as a source of multiply charged ions been investigated. This experiment concerned the characterization and optimization of laser produced Ge ion fluxes as well as the analysis of the direct implantation of these ions into SiO2 films prepared on the surface of a Si single crystal in the bulk profiles of Ge ion implantation with maximum depth of similar to 450 nm
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LC528" target="_blank" >LC528: Centrum laserového plazmatu</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Scripta
ISSN
0031-8949
e-ISSN
—
Svazek periodika
T123
Číslo periodika v rámci svazku
-
Stát vydavatele periodika
SE - Švédské království
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
148-181
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—